王陽(yáng)元，男，1935年1月生，漢，中國(guó)共產(chǎn)黨黨員，浙江寧波人。1958年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系；1958年至今在北京大學(xué)工作，1982年至1983年美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校高級(jí)訪問(wèn)學(xué)者。1995年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院信息技術(shù)科學(xué)部院士。王陽(yáng)元現(xiàn)為北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院教授(1985年)、微電子學(xué)研究院首席科學(xué)家。
王陽(yáng)元主要從事微電子學(xué)領(lǐng)域中新器件、新工藝和新結(jié)構(gòu)電路的研究。二十世紀(jì)70年代主持研究成功我國(guó)第一塊3種類(lèi)型1024位MOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是我國(guó)硅柵N溝道MOS技術(shù)開(kāi)拓者之一。80年代提出了多晶硅薄膜"應(yīng)力增強(qiáng)"氧化模型、工程應(yīng)用方程和摻雜濃度與遷移率的關(guān)系，被國(guó)際同行認(rèn)為"對(duì)許多研究者都有重要意義"，"對(duì)實(shí)踐有重要的指導(dǎo)意義"。研究了硅化物薄膜及深亞微米CMOS電路的硅化物／多晶硅復(fù)合柵結(jié)構(gòu)；發(fā)現(xiàn)磷摻雜對(duì)固相外延速率增強(qiáng)效應(yīng)以及CoSi2柵對(duì)器件抗輻照特性的改進(jìn)作用；90年代在SOI/CMOS器件方面，提出了器件浮體效應(yīng)模型的工藝設(shè)計(jì)技術(shù)。研究成功了多種新型器件和電路；與合作者一起提出了多晶硅發(fā)射極晶體管的新的解析模型，開(kāi)發(fā)了成套的先進(jìn)工藝技術(shù)，對(duì)獨(dú)立自主發(fā)展我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)有重要意義。90年代后期研究微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），任國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任，主持開(kāi)發(fā)了三套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MEMS工藝，開(kāi)發(fā)了多種新型器件并向產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化，獲得一批發(fā)明專(zhuān)利。近期又致力于研究納米級(jí)集成電路。在任全國(guó)ICCAD專(zhuān)家委員會(huì)主任和ICCAT專(zhuān)家委員會(huì)主任期間，領(lǐng)導(dǎo)研制成功了我國(guó)第一個(gè)大型集成化的ICCAD系統(tǒng)，使我國(guó)進(jìn)入能自行開(kāi)發(fā)大型ICCAD工具的先進(jìn)國(guó)家行列。為推動(dòng)我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為發(fā)起人之一，創(chuàng)建中芯國(guó)際集成電路制造有限公司，領(lǐng)導(dǎo)建設(shè)成功了我國(guó)第一條12英寸納米級(jí)集成電路生產(chǎn)線，使我國(guó)集成電路大生產(chǎn)技術(shù)水平處于國(guó)際先進(jìn)水平。共培養(yǎng)百名碩士、博士和博士后。發(fā)表科研論文230多篇，出版著作6部。
王陽(yáng)元有20項(xiàng)重大科技成果。1978年獲全國(guó)科學(xué)大會(huì)獎(jiǎng)，1991年獲國(guó)家教委科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，2003年獲何梁何利科技進(jìn)步獎(jiǎng)，2007年獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)，等19項(xiàng)國(guó)家級(jí)和部委級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)。
王陽(yáng)元長(zhǎng)期擔(dān)任中國(guó)電子學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)，《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》和《電子學(xué)報(bào)》（英文版）副主編。信息產(chǎn)業(yè)部科技委委員(電子)，美國(guó)IEEE Fellow和英國(guó)IEE Fellow 等。
